Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
CDM22010-650 SL
Product Overview
Производитель:
Central Semiconductor Corp
Номер детали:
CDM22010-650 SL-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Подробное описание:
N-Channel 650 V 10A (Ta) 2W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
464 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12789949
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
CDM22010-650 SL Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Central Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1168 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta), 156W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
CDM22010
Технический паспорт и документы
Ресурсы для проектирования
CDM22010-650 Spice Model
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
CDM22010-650SL
CDM22010-650 SL PBFREE
CDM22010-650 SL-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPP80R900P7XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IPP80R900P7XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.56
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IRFBC40PBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1796
Номер части
IRFBC40PBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.91
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP7LN80K5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
454
Номер части
STP7LN80K5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.83
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPP80R1K2P7XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5
Номер части
IPP80R1K2P7XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.50
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IRFBC40APBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
482
Номер части
IRFBC40APBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.98
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
CMUDM8004 TR PBFREE
MOSFET P-CH 30V 450MA SOT523
CEN1232 BK
CEN1232 IC
CTLDM8002A-M621H BK
MOSFET P-CH 50V 280MA TLM621H
CP398X-CPDM303NH-CT
MOSFET N-CH 30V 3.6A DIE